[发明专利]太阳能级硅片水基清洗剂及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310527797.6 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN103571643A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 郭万东;孟祥法;董培才 申请(专利权)人: 合肥中南光电有限公司
主分类号: C11D1/83 分类号: C11D1/83;C11D3/60;C11D3/20;C11D3/24;C11D3/16;C11D3/36;C11D3/28
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 231600 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 一种太阳能级硅片水基清洗剂,由下列重量份的原料制成:氢氟酸2-3、二甲苯磺酸钠1-2、壬基酚聚氧乙烯醚2-3、十二烷基二甲基氧化胺1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、二氯四氟甲烷6-8、丙二醇9-12、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120。本发明不仅可以有效的去除硅片表面的有机、无机污染,而且可以去除附着在硅片表面的金属、非金属颗粒,从而提高了太阳能电池片的优质率与效率。本发明的清洗液配方简单,清洗效果好,且清洗方法简单,清洗时间短,清洗需要的温度不高。本发明的助剂能够在电路板表面形成保护膜,隔绝空气,防止大气中水及其他分子腐蚀电路板,抗氧化,方便下一步制作工艺进行。
搜索关键词: 太阳 能级 硅片 水基清 洗剂 及其 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能级硅片水基清洗剂,其特征在于由下列重量份的原料制成:氢氟酸2‑3、二甲苯磺酸钠1‑2、壬基酚聚氧乙烯醚2‑3、十二烷基二甲基氧化胺1‑2、月桂醇聚氧乙烯醚3‑5、二氯四氟甲烷6‑8、丙二醇9‑12、乙醇30‑40、助剂4‑5、去离子水100‑120;所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH‑570 2‑3、抗氧剂1035 1‑2、植酸1‑2、吗啉3‑4、甲基丙烯酸‑2‑ 羟基乙酯3‑4、乙醇12‑15;制备方法是将硅烷偶联剂KH‑570 、植酸、乙醇混合,加热至60‑70℃,搅拌20‑30分钟后,再加入其它剩余成分,升温至80‑85℃,搅拌30‑40分钟,即得。
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