[发明专利]一种倒装纳米LED芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸及位置，将纳米压印和电子束曝光结合起来，将模板重复运用有利于芯片的批量化生产；对纳米柱的侧壁实施去损伤处理，使侧壁损伤得到修复，减少了漏电流的产生，起到防止短路的作用；将纳米LED芯片与倒装结构相结合，使得器件具有更高的光提取效率，更好的散热效果以及更均匀的电流扩展，提高了器件的性能；分立的结构，实现了单个纳米LED的独立电致发光，改变了现有的纳米柱阵列一齐发光的研究现状。

主权项

一种倒装纳米LED芯片，其特征在于，所述倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分（1）、衬底（2）和倒装焊接部分（3）；外延芯片部分（1）位于衬底（2）上，包括p型接触层、n型接触层、纳米柱阵列（13）、未刻蚀n型层（14）和钝化层（15）；P型接触层包括p电极层（111）、p焊盘层（112）和P电极焊盘台（113）；n型接触层包括n电极层（121）和n焊盘层（122）；其中，纳米柱阵列（13）分布在未刻蚀n型层（14）上；分立的P电极焊盘台（113）分布在未刻蚀n型层（14）上；纳米柱阵列（13）和分立的P电极焊台（113）交错排列；分立的p电极层（111）与纳米柱阵列（13）相对应，位于纳米柱阵列上；分立的p焊盘层（112）与分立的p电极层（111）相对应，位于p电极层（111）上；在未刻蚀n型层（14）和n电极层（121）之上且在p焊盘层（112）之下，纳米柱阵列（13）与分立的P电极焊盘台（113）之间充满钝化层（15）；位于衬底（2）上的外延芯片部分（1）倒扣在倒装焊接部分（3）上。