[发明专利]半导体基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310512035.9 申请日: 2013-10-25
公开(公告)号: CN104576596B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 苏洹漳;李俊哲;陈天赐;李志成;颜尤龙 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/768
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张振军
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种半导体基板及其制造方法,半导体基板包括介电层、线路层、第一保护层、数个第一导电柱、输出入接垫、电性接点层及第二保护层。介电层具有相对的第一表面与第二表面。线路层内埋于介电层并从第一表面露出。第一保护层覆盖第一线路层的一部分并具有数个露出该第一线路层的其余部分的开孔。第一导电柱形成于开孔内,第一导电柱与第一保护层重叠于整个第一线路层。输出入接垫对应地形成于第一导电柱上。电性接点层突出于第二表面形成。第二保护层覆盖介电层的第二表面并露出部分电性接点层。其中,第一保护层的体积与第二保护层的体积的差异介于30%至50%之间。
搜索关键词: 半导体 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体基板,包括:一介电层,具有相对的一第一表面与一第二表面;一第一线路层,内埋于该介电层并从该第一表面露出,且该第一线路层的端面与该第一表面齐平;一第一保护层,覆盖该第一线路层的一部分并具有多个露出该第一线路层的其余部分的第一开孔;一第一导电柱,形成于该第一开孔内;一电性接点层形成于该第二表面上;一第二保护层,覆盖该介电层的该第二表面并露出部分该电性接点层;该第一保护层的体积与该第二保护层的体积的差异的范围是30%至50%。
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