[发明专利]融合函数型数据描述的等离子刻蚀过程的故障检测方法有效
| 申请号: | 201310511497.9 | 申请日: | 2013-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN103606530A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
| 发明(设计)人: | 王焕钢;姚马;肖志博 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01J37/244;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 徐宁;关畅 |
| 地址: | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种融合函数型数据描述的等离子刻蚀过程的故障检测方法,其步骤为:设置一包括等离子刻蚀设备、数据采集设备和监控设备的故障检测系统;数据采集设备采集等离子刻蚀设备中监控变量的历史数据和实时数据,历史数据构成训练集后传输至参数设置模块和数据处理模块,实时数据传输至数据处理模块;在参数设置模块中设置参数,并传输至数据处理模块;数据处理模块分别将训练集和实时数据转化成新训练集和列向量后传输至模型训练模块和故障检测模块;根据新训练集,模型训练模块建立SVDD故障检测模型并传输至故障检测模块;根据接收到的列向量和SVDD故障检测模型,故障检测模块对实时数据进行判断并输出结果。 | ||
| 搜索关键词: | 融合 函数 数据 描述 等离子 刻蚀 过程 故障 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种融合函数型数据描述的等离子刻蚀过程的故障检测方法,其包括以下步骤:1)设置一包括等离子刻蚀设备、数据采集设备和监控设备的故障检测系统;监控设备内预置有参数设置模块、数据处理模块、模型训练模块和故障检测模块;2)数据采集设备采集等离子刻蚀设备中监控变量的历史数据和实时数据,并将监控变量的历史数据构成训练集{X1,...,Xi,...,XI},i=1,...,I,I为产品批次个数;数据采集设备将训练集{X1,...,Xi,...,XI}分别传输至参数设置模块和数据处理模块,将监控变量的实时数据Xnew传输至数据处理模块;3)根据接收到的训练集{X1,...,Xi,...,XI}中各个监控变量在所有产品批次内的轨迹变化特征,在参数设置模块中设置参数,并将设置的参数传输至数据处理模块;4)根据步骤3)中设置的参数,数据处理模块将训练集{X1,...,Xi,...,XI}转化成由I个
维列向量组成的集合
并将集合
作为新训练集传输至模型训练模块;数据处理模块将接收到的监控变量的实时数据Xnew转化成
维列向量
并将列向量
传输至故障检测模块;5)利用步骤4)中所得到的新训练集
模型训练模块采用SVDD方法得到SVDD故障检测模型的关键部分:各拉格朗日乘子的最优解
和半径R,并传输至故障检测模块;6)根据接收到的列向量
和SVDD故障检测模型,故障检测模块判断监控变量的实时数据Xnew是否出现故障,并输出判断结果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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