[发明专利]一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法在审
| 申请号： | 201310510671.8 | 申请日： | 2013-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN104570211A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安;翟继鑫 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区清*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法，其特征在于：将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入硫酸与双氧水的混合溶液中，用来去除表面残留的有机物；将晶圆放入去离子水中冲洗，随后用甩干机就行甩干处理；将表面生长二氧化硅（SiO2）的监控硅片测量氧化层厚度；将监控硅片放入配比好的氢氟酸中，取出并测量氧化层厚度；计算前后两次监控硅片的氧化层厚度差，如厚度差范围在500A-700A之间，将晶圆放入氢氟酸中，持续2-10分钟后取出；将晶原用等离子水冲洗晶原并甩干。本发明杜绝了离子损伤带来的不稳定因素，从而提高工艺稳定性和产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 波导 分路 等离子体 刻蚀 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种平面光波导分路器等离子体刻蚀后的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：101、将表面进行等离子体物理刻蚀后的晶圆放入硫酸与双氧水的混合溶液中，其中硫酸与双氧水的混合比例大于3比1，然后加热到100‑150度，持续时间为1‑10分钟，用来去除表面残留的有机物；102、将晶圆放入去离子水中反复冲洗2次以上，随后用甩干机就行甩干处理，来去除表面可能残留的酸液；103、将表面生长二氧化硅（SiO2）的监控硅片测量氧化层厚度；104、将监控硅片放入配比好的氢氟酸中，氟化氢与氟化铵的比例为1：40到1:60之间，持续2‑10分钟，取出并测量氧化层厚度；105、计算前后两次监控硅片的氧化层厚度差，如厚度差范围在500A‑700A之间，执行步骤106，如厚度差范围不在500A‑700A之间，重新调配氢氟酸，并执行104；106、将晶圆放入氢氟酸中，持续2‑10分钟后取出；107、将晶原用等离子水冲洗晶原并甩干。
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