[发明专利]一种晶片宏观缺陷多点定位方法无效
| 申请号： | 201310506671.0 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103604812A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 瞿丹红;姜舜;陈丽娟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01B11/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶片宏观缺陷多点定位方法，包括以下步骤：对晶片表面进行拍照，然后对宏观可见的缺陷附近进行多次定位，并记录每次定位的坐标值；然后利用算法对多次定位的坐标值进行计算，得到一平均值坐标；以平均值坐标直接使用微观检测，以快速得到其缺陷的坐标值。本发明利用多次定位再取平均值可减小误差，在微观条件下可快找出缺陷所在位置并进行定位，极大提高了检测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 宏观 缺陷 多点 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片宏观缺陷多点定位方法，应用于半导体检测领域，其特征在于，包括以下步骤：提供一需要进行缺陷检测的晶片；获取所述晶片表面的图像；于所获取的晶片表面图像上对宏观可见的缺陷图形进行多次定位，并记录每次定位的坐标值；根据记录的每次定位的坐标值，获取一平均值坐标；根据所述平均值坐标于上述显微镜的微观检测区对所述晶片进行微观缺陷检测。
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