[发明专利]一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法无效
| 申请号： | 201310505350.9 | 申请日： | 2013-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103531510A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李苏苏;丁继洪;陈博;姜楠;吕东锋;于航;简崇玺;张明浩;陈计学;郭群英 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5µm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 电路 外延 图形 转移 对准 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，其特征在于包括以下步骤：（1）、在双面光刻机中，在硅片的正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；（2）、将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；（3）、在双面光刻机中，用Ⅱ号掩膜版在硅片的背面光刻对准标记b，刻蚀对准标记浅腔，即将正面对准标记a转移到背面；（4）、腐蚀硅片表面的硅氧化层，在硅片正面生长P‑外延层；（5）、双面光刻机中，将硅片背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P‑外延层上光刻电路图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
