[发明专利]一种气体调节装置及其所处的等离子体反应器有效
| 申请号： | 201310502929.X | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104576279B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 孙超;吴紫阳 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体调节装置及其所在的等离子体反应器，所述气体调节装置包括至少一个气体输入管道，所述气体输入管道后端连接一个气体分配器，所述气体分配器包括两个输出，分别连接所述气体喷淋头的中心区域和边缘区域。根据半导体基片的刻蚀结果，气体调节装置对刻蚀速率较慢的区域进行补充调节反应气体，有针对性的对刻蚀结果进行弥补，同时，由于气体分配器的存在，可以明确的设定注入不同区域气体的流量，从而对不均匀的基片刻蚀结果进行弥补，实现均匀的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 调节 装置 及其 等离子体 反应器 | ||
【主权项】：
一种气体调节装置，所述气体调节装置连接一气体喷淋头，所述气体喷淋头包括中心区域、环绕所述中心区域的边缘区域以及环绕所述边缘区域的外缘区域；其特征在于：所述气体调节装置包括至少一个调节气体输入管道，所述调节气体输入管道后端连接一个气体分配器，所述气体分配器包括三个输出，分别连接所述气体喷淋头的中心区域、边缘区域及外缘区域，所述气体分配器控制进入所述中心区域和外缘区域的调节气体流量高于进入所述边缘区域的调节气体流量。
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