[发明专利]一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法有效
| 申请号： | 201310502601.8 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103543397A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 杨祥龙;彭燕;徐现刚;胡小波;杨昆;陈秀芳;崔潆心 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法。该方法包括：将半绝缘4H-SiC样品采用电阻率测量设备进行电阻率测量，根据电阻率值与晶型的对应关系，鉴别晶型情况，并得到4H晶型与其他晶型的面积比。该方法简单可靠，将电阻测量与4H-SiC晶型鉴别合二为一，可对半绝缘4H-SiC衬底生产的任一工序内的产品进行检测，有利于实施生产过程质量控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 sic 鉴别方法 | ||
【主权项】：
一种半绝缘4H‑SiC晶型的检测鉴别方法，包括步骤如下：（1）取待检验的半绝缘4H‑SiC样品切割成晶片，并进行抛光；（2）进行电阻率测量，得到电阻率值；（3）根据电阻率值与晶型的关系，鉴别晶型情况：电阻率高于1012Ω·cm的部分为4H晶型，电阻率低于1012Ω·cm的部分为非4H晶型的其他晶型。
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