[发明专利]一种MOS器件的掺杂方法

摘要

本发明公开了一种MOS器件的掺杂方法，所述方法包括两个步骤步骤一，在硅片上利用离子注入预掺杂；步骤二，在硅片上形成氧化层，然后进行热扩散掺杂。

主权项

一种MOS器件的掺杂方法，所述方法包括两个步骤：步骤一，在硅片上利用离子注入轻掺杂；步骤二，在硅片上形成氧化层，然后进行热扩散掺杂；所述步骤一中，首先利用光刻胶在硅片上定义出MOS器件的掺杂区，然后利用离子注入的方式在掺杂区中进行轻掺杂，掺杂浓度控制在1×10‑14cm‑3至5×10‑14cm‑3之间，此后去除光刻胶；所述步骤二中，将硅片放入氧化炉中进行氧化，以便在硅片表面形成氧化层，氧化温度为650～850℃，形成的氧化层厚度为120～160埃；接着在硼乳胶源中加入光刻胶，硼乳胶源和光刻胶的比例为(重量比)：10：3～6克；将硼乳胶源和光刻胶混合，然后并放入搅拌器皿中进行充分的搅拌，搅拌时间为2.5～3.5小时，从而得到混合液；下一步将得到的混合液涂覆到氧化后的硅片上，形成混合液涂覆层，涂覆层厚度为300‑400微米；将涂覆混合液的硅片进行烘烤，烘烤温度为140‑160摄氏度，烘烤时间为25分钟；将烘烤后的硅片取出，直接放入杂质扩散炉进行杂质扩散，扩散温度控制在为1150‑1250摄氏度，扩散时间控制在为2.5～3.5小时，扩散浓度为5×10‑15cm‑3至5×10‑16cm‑3；扩散完毕后，在将扩散炉降温，直至达到室温时将硅片取出，完成MOS器件掺杂区的掺杂制作。