[发明专利]一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法，具体步骤如下：（1）水膜保护步骤：在硅片的扩散面上通过水喷淋系统喷淋去离子水，形成水膜保护层，该水膜保护层一直持续存在，直到硅片完成刻蚀步骤；（2）去磷硅玻璃步骤：水膜保护步骤后硅片进入氢氟酸槽，氢氟酸槽内设有氢氟酸药液，氢氟酸药液是通过带液滚轮带到硅片的背面，去除硅片背面和边缘的磷硅玻璃，而正面的磷硅玻璃层和水膜保护层不受到影响；（3）刻蚀步骤：去磷硅玻璃步骤后硅片进入刻蚀槽，刻蚀背面和边缘的PN结，在刻蚀槽中，硅片采用漂浮在刻蚀液上的方式进行刻蚀。本发明能够稳定控制刻蚀后的方阻上升值，增加了PN结的有效面积，提高电池片的转换效率。 

主权项

一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法，包括水膜保护步骤和刻蚀步骤，其特征在于：在所述水膜保护步骤和刻蚀步骤之间增设去磷硅玻璃步骤，具体步骤如下：（1）水膜保护步骤：在硅片的扩散面上通过水喷淋系统喷淋去离子水，形成水膜保护层，该水膜保护层一直持续存在，直到硅片完成刻蚀步骤；（2）去磷硅玻璃步骤：水膜保护步骤后硅片进入氢氟酸槽，氢氟酸槽内设有氢氟酸药液，氢氟酸药液是通过带液滚轮带到硅片的背面，去除硅片背面和边缘的磷硅玻璃，而正面的磷硅玻璃层和水膜保护层不受到影响；（3）刻蚀步骤：去磷硅玻璃步骤后硅片进入刻蚀槽，刻蚀背面和边缘的PN结，在刻蚀槽中，硅片采用漂浮在刻蚀液上的方式进行刻蚀。