[发明专利]MEMS集成压力传感器和麦克风器件及其形成方法有效
申请号: | 201310488777.2 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN104045052B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 郑钧文;朱家骅 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/00;H04R19/04;G01L9/00 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了微机电(MEMS)集成压力传感器和麦克风器件及其形成方法,该方法包括提供MEMS晶圆,其中,图案化该MEMS晶圆的一部分来提供麦克风器件的第一膜以及压力传感器件的第二膜。载体晶圆接合至MEMS晶圆,并且蚀刻该载体晶圆以将麦克风器件的第一膜暴露于周围环境。图案化MEMS衬底并且去除MEMS晶圆的第一牺牲层的部分以形成MEMS结构。盖晶圆接合至MEMS晶圆中的与载体晶圆相对的一侧上从而形成包括MEMS结构的第一密封腔体。在压力传感器件的第二膜的相对侧形成第二密封腔体和暴露于周围环境的腔体。 | ||
搜索关键词: | mems 集成 压力传感器 麦克风 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成微机电MEMS器件的方法,包括:提供MEMS晶圆,其中,部分所述MEMS晶圆被图案化以提供用于麦克风器件的第一膜和用于压力传感器件的第二膜;将载体晶圆接合至所述MEMS晶圆;蚀刻所述载体晶圆,以将用于所述麦克风器件的所述第一膜暴露于周围环境;图案化MEMS衬底并且去除所述MEMS晶圆的部分第一牺牲层,以形成MEMS结构;将盖晶圆接合至所述MEMS晶圆的与所述载体晶圆相对的一侧,以形成包括所述MEMS结构的第一密封腔体;以及在用于所述压力传感器件的所述第二膜的相对侧形成第二密封腔体和暴露于周围环境的腔体;还包括提供所述盖晶圆,提供所述盖晶圆包括:提供具有金属线的半导体晶圆;在所述金属线上方形成共形氧化物层;在所述共形氧化物层上方形成薄膜层;以及在所述薄膜层上方形成多个第一接合件。
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