[发明专利]电子装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310488725.5 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103811460B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·迪尔内科;贝特霍尔德·斯陶费尔 | 申请（专利权）人： | 德州仪器德国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括具有集成电路后端电容器及集成电路后端薄膜电阻器的半导体结构的电子装置及其制造方法。所述半导体结构包括第一电介质层、所述电容器的底板及薄膜电阻器主体。此外，存在安置于所述电容器的所述底板上及所述薄膜电阻器主体的顶部上的第二电介质层。所述电容器的顶板安置于所述第二电介质层上在所述第二电介质层的由所述电容器的所述底板的横向尺寸界定的区域中。所述底板及所述电阻器主体为两者均安置于所述第一电介质层上且由相同薄膜材料组成的横向间隔开的层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 集成电路 后端 电容器 薄膜 电阻器 半导体 结构 电子 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括具有集成电路后端电容器及集成电路后端薄膜电阻器的半导体结构的电子装置，所述半导体结构包括：第一电介质层；所述电容器的底板及薄膜电阻器主体；第二电介质层，其安置于所述电容器的所述底板上及所述薄膜电阻器主体上，及所述电容器的顶板，其安置于所述第二电介质层上在所述第二电介质层的由所述电容器的所述底板的横向尺寸界定的区域中，其中所述底板及所述电阻器主体为两者均安置于所述第一电介质层上且由相同薄膜材料组成的横向间隔开的层；其中所述第一电介质层沉积于所述半导体结构的第一金属化层上；其中用于所述电容器的所述底板及用于所述薄膜电阻器主体的所述薄膜材料由SiCr组成，所述第二电介质层由氮化硅组成，且所述电容器的所述顶板由氮化钛组成。
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