[发明专利]一种碳化硅的制备方法有效
| 申请号： | 201310477645.X | 申请日： | 2013-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103539122A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 星野政宏 | 申请（专利权）人： | 台州市一能科技有限公司;星野政宏 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 台州市方圆专利事务所 33107 | 代理人： | 蔡正保;朱新颖 |
| 地址： | 318000 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅的制备方法，属于本发明属于半导体制备技术领域。它解决了现有碳化硅制备方法污染重和制备得到的碳化硅纯度不高的问题。本碳化硅的制备方法包括用含碳元素的碳源完全包裹住硅石或者金属硅或者两者混合物并制成原料颗粒；将原料颗粒在高温下反应生成碳化硅；还包括采用装备有等离子发生装置的设备来生产碳化硅的制备方法；也包括将碳源和硅石或金属硅或者两者的混合物同时直接投入到等离子火焰中进行加热反应，进而生成碳化硅的制备方法；以及包含提纯步骤的碳化硅制备方法。该制备方法能够避免对环境的污染，还能提高碳化硅的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅的制备方法，其特征在于，该方法包括用含碳元素的碳源（2）完全包裹住硅石（1）或者金属硅或者两者混合物并制成原料颗粒（3）；将原料颗粒（3）在高温下反应生成碳化硅。
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