[发明专利]半导体镀金属的改进方法有效
| 申请号： | 201310466628.6 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103540983A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 魏凌云;G·哈姆;N·小卡拉亚 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体镀金属的改进方法。将金属底层选择性地镀在半导体晶片上，随即使用低内应力铜镀液在金属底层上镀铜。可以用常规金属镀浴和方法进行附加的金属化来建立金属层从而形成电流轨迹。金属硅化物的形成得到避免。获得了金属与半导体之间优良的结合力。金属化的半导体可用于光伏器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 镀金 改进 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，主要由以下步骤组成：a)提供包括正面、背面和pn结的半导体，所述正面包括导电轨迹图案和汇流条，导电轨迹和汇流条包括底层，以及背面包括金属接触层；b)将半导体与低内应力镀铜组合物接触；以及c)在导电轨迹和汇流条的底层附近镀覆低内应力铜层。
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