[发明专利]高压启动电路有效
申请号: | 201310466177.6 | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN104518654B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 张楠 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种高压启动电路,包括启动电容、检测及控制电路、充电开关器件、偏置电路。所述检测及控制电路检测所述启动电容的电压,在所述电压低于一个电压阈值时,控制所述偏置电路给所述充电开关器件提供偏置电压,以使得充电开关器件导通,进而使得电源通过充电开关器件给所述启动电容充电,否则,控制所述偏置电路不给所述充电开关器件提供偏置电压,以使得充电开关器件关断,进而使得电源停止给所述启动电容充电。本发明由于无需外置电阻,且系统集成度高,在降低启动时间的同时也降低了待机功耗,具有高性能低温漂特性,不但有助于维持启动电路的电流稳定,而且能提高电路的可靠性与稳定性。 1 | ||
搜索关键词: | 充电开关器件 启动电容 偏置电路 高压启动电路 偏置电压 充电 电源 控制电路检测 系统集成度 待机功耗 电流稳定 控制电路 启动电路 低温漂 阈值时 检测 导通 电阻 关断 外置 电路 | ||
启动电容;
检测及控制电路,其检测所述启动电容的电压,并且所述电压高于一个电压阈值时,输出完成启动控制信号,否则输出非完成启动控制信号;
充电开关器件,其一个连接端与电源端HVDC相连,另一个连接端与所述启动电容相连,其控制端能够控制所述充电开关器件的导通和关断,其中所述充电开关器件为第一MOS晶体管;
偏置电路,其与电源端HVDC相连接,其给所述充电开关器件的控制端提供偏置电压,并接收来自所述检测及控制电路的控制信号;
其中,在来自所述检测及控制电路的控制信号为非完成启动控制信号且所述电源端HVDC与电源连接时,所述偏置电路给所述充电开关器件的控制端提供一个偏置电压,以使得所述充电开关器件被偏置在饱和工作区,使得所述充电开关器件被等效成一个恒压控制的恒流源器件,此时所述电源通过所述充电开关器件给所述启动电容充电,
在来自所述检测及控制电路的控制信号为完成启动控制信号且所述电源端HVDC与电源连接时,所述偏置电路给所述充电开关器件的控制端提供另一个偏置电压以使得所述充电开关器件关断,此时所述电源不能通过所述充电开关器件给所述启动电容充电,
所述偏置电路包括:第一电阻型器件、第二电阻型器件、第三电阻型器件、第四电阻型器件、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管和双极型晶体管,
双极型晶体管的集电极通过第一电阻型器件与所述电源端HVDC相连,其发射极通过第三电阻型器件接地,
第二MOS晶体管的漏极通过第二电阻型器件与所述电源端HVDC相连,其源极通过第四电阻型器件接地,其漏极作为所述偏置电路的输出端与第一MOS晶体管的栅极相连,其源极还与双极型晶体管的基极相连,
第三MOS晶体管的漏极与双极型晶体管的集电极相连,其源极接地,其栅极接收自所述检测及控制电路的控制信号,
在来自所述检测及控制电路的控制信号为非完成启动控制信号且所述电源端HVDC与电源连接时,第三MOS晶体管截止,第二MOS晶体管和双极型晶体管导通,从而使得第一MOS晶体管导通;
在来自所述检测及控制电路的控制信号为完成启动控制信号且所述电源端HVDC与电源连接时,第三MOS晶体管导通,第二MOS晶体管和双极型晶体管关断,从而使得第一MOS晶体管关断。
2.如权利要求1所述的高压启动电路,其特征在于:其还包括有控制开关管,其一个连接端作为所述电源端HVDC,另一个连接端与所述偏置电路和所述充电开关器件相连,其控制端接地,在所述电源连接至所述电源端HVDC时,所述控制开关管导通。3.如权利要求2所述的高压启动电路,其特征在于:所述控制开关管为N型结型场效应晶体管,其栅极接地,漏极接所述电源端HVDC,源极接与所述偏置电路和所述充电开关器件相连。4.如权利要求3所述的高压启动电路,其特征在于:第一MOS晶体管的漏极与所述N型结型场效应晶体管的源极相连,其源极与启动电容的一端相连,其栅极与所述偏置电路的输出端相连。5.如权利要求4所述的高压启动电路,其特征在于:双极型晶体管的集电极通过第一电阻型器件与所述N型结型场效应晶体管的源极相连;
第二MOS晶体管的漏极通过第二电阻型器件与所述N型结型场效应晶体管的源极相连。
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