[发明专利]在宽金属焊盘上方形成凸块结构的机制在审
| 申请号： | 201310464580.5 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN104299952A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡仲豪;王垂堂;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于形成半导体管芯的机制的实施例。半导体管芯包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的保护层。半导体管芯还包括共形地形成在保护层上方的导电层和形成在导电层中的凹槽。凹槽环绕导电层的区域。半导体管芯还包括形成在被凹槽围绕的导电层区域上方的焊料凸块。本发明还提供了在宽金属焊盘上方形成凸块结构的机制。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 上方 形成 结构 机制 | ||
【主权项】：
一种半导体管芯，包括：半导体衬底；保护层，形成在所述半导体衬底上方；导电层，共形地形成在所述保护层上方，在所述导电层中形成一个凹槽，并且所述凹槽围绕所述导电层的区域；以及焊料凸块，形成在所述导电层被所述凹槽围绕的区域上方。
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