[发明专利]建立OPC模型的方法、布局图形的检查方法

摘要

一种建立OPC模型的方法、布局图形的检查方法，其中，所述建立OPC模型的方法得到的最终的OPC模型考虑了后续刻蚀晶圆时允许的光刻胶层的最小厚度，利用该最终的OPC模型进行模拟时，可以有效的找到由于光刻胶层厚度损失对在晶圆上形成的最终图形的精确度造成影响的区域，以利于后续修改光掩模图形，使得利用该修改后的光掩模图形曝光光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜刻蚀晶圆形成的最终图形的精确度高。

主权项

1.一种建立OPC模型的方法，其特征在于，包括：提供目标图形、光刻系统和表面形成有光刻胶层的晶圆；提供依据所述目标图形和光刻系统得到的光掩模图形、具有上述光掩模图形的光掩模板和原始OPC模型；利用所述光掩模板和光刻系统曝光晶圆，在光刻胶层上形成光刻图形，并获取位于光刻胶层底部的光刻图形的尺寸，将所述位于光刻胶层底部的光刻图形的尺寸作为参考尺寸；将原始OPC模型中的离焦起始点设置在光刻胶层的底部，依据所述参考尺寸对所述原始OPC模型进行校准，直至由该校准后的OPC模型得到模拟的光刻胶层底部的光刻图形的尺寸等于所述参考尺寸，将该校准后的OPC模型作为中间模型；获取刻蚀晶圆时允许的光刻胶层的最小厚度，将所述中间模型的离焦起始点设置在允许的光刻胶层的最小厚度处，得到最终的OPC模型。