[发明专利]相变存储器及其形成方法

摘要

一种相变存储器及其形成方法，所述相变存储器的形成方法包括提供衬底，所述衬底内具有底部电极，所述底部电极的表面与衬底表面齐平；在所述衬底和底部电极表面形成掩膜层；在所述掩膜层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极的表面；在所述第一开口侧壁表面形成侧墙，侧墙底部之间暴露出部分底部电极的表面，所述侧墙底部之间的距离小于侧墙顶部之间的距离；在所述侧墙之间的底部电极表面形成加热层以及位于所述加热层表面并填充满所述第一开口的相变层，所述加热层的表面低于掩膜层的表面；在所述相变层和掩膜层表面形成顶部电极。上述方法能够节约相变存储器的工艺成本。

主权项

一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有底部电极，所述底部电极的表面与衬底表面齐平；在所述衬底和底部电极表面形成掩膜层；在所述掩膜层内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极的表面；在所述第一开口侧壁表面形成侧墙，侧墙底部之间暴露出部分底部电极的表面，所述侧墙底部之间的距离小于侧墙顶部之间的距离；在所述侧墙之间的底部电极表面形成加热层以及位于所述加热层表面并填充满所述第一开口的相变层，所述加热层的表面低于掩膜层的表面；在所述相变层和掩膜层表面形成顶部电极；所述衬底内还具有外围金属互连结构，所述外围金属互连结构的表面与衬底表面齐平；还包括：在形成所述第一开口之前，在所述掩膜层内形成第二开口，所述第二开口暴露出外围金属互连结构的表面；在所述外围金属互连结构表面形成填充满所述第二开口的金属层，所述金属层的表面与掩膜层的表面齐平。