[发明专利]半导体布置及其形成方法有效
| 申请号： | 201310456169.3 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104183629B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;吴伟成;黄进义;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体布置及其形成方法。半导体布置包括设置在保护区的第一侧的有源区。有源区包括有源器件。半导体布置的保护区包括有源区的残留物。还提供了形成半导体布置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 布置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体布置，包括：保护区；以及有源区，设置在所述保护区的第一侧，所述有源区包括有源器件，所述保护区包括来自所述有源区的残留物，所述残留物封装在所述保护区内，所述残留物不会对所述半导体装置导致不利效果；所述残留物，包括：阻挡层；半导体材料层，设置在所述阻挡层上方并且与所述阻挡层直接接触；和介电层，设置在所述半导体材料层上方，并且与所述半导体材料层和所述阻挡层直接接触。
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