[发明专利]一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201310455344.7 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103482589A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 何军;曹金利;王振兴 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00;C23C16/30;H01C7/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一维硒化锡纳米阵列、其制备方法和应用，所述一维硒化锡纳米阵列由沿同一方向生长并呈阵列状排列的硒化锡纳米线组成。本发明的一维硒化锡纳米阵列是采用化学气相沉积法、以硒化锡为原料并在催化剂作用下沉积得到的，可用于NTC热敏电阻中，具有优异的负温度系数。本发明制备一维硒化锡纳米阵列的方法具有低成本、合成步骤简单、速度快、结晶性好、形貌可控的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一维硒化锡 纳米 阵列 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种一维硒化锡纳米阵列，其特征在于，所述一维硒化锡纳米阵列由沿同一方向生长并呈阵列状排列的硒化锡纳米线组成；优选地，所述硒化锡纳米线的直径为20～300nm，优选50～200nm；优选地，所述硒化锡纳米线的长度为0.1～100μm，优选1～20μm，更优选2～10μm，最优选4μm。
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