[发明专利]用来制造CdTe薄层太阳能电池的背接触层的方法

摘要

本发明涉及一种用来制造CdTe薄层太阳能电池的背接触层的方法。本发明的主题是一种制造基材上置式薄层太阳能电池的背接触层的Sb₂Te₃层的方法。根据现有技术，Sb₂Te₃层作为化合物沉积。现在根据本发明提出，Sb₂Te₃层由碲化镉层的富碲的表面层和沉积在该富碲表面层上的锑，以及锑和碲在表面层上的反应生成。

主权项

1.一种制造基材上置式CdTe薄层太阳能电池的背接触层的Sb₂Te₃层的方法，所述方法包括如下步骤：‑生成碲化镉层的富碲表面层；‑将锑层通过溅射、蒸发、湿法化学沉积或者化学气相沉积方法涂覆到所述富碲表面层上；以及‑通过所涂覆的锑和富碲表面层中的碲在所述富碲表面层上的反应生成所述Sb₂Te₃层，其中通过加热所述基材来支持所述Sb₂Te₃层的形成，基材的加热在150℃‑300℃的情况下进行1min‑30min。