[发明专利]一种近红外发光二极管的外延结构、生长工艺及芯片工艺有效
| 申请号： | 201310443689.0 | 申请日： | 2013-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103500784A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;张永;林志园;尧刚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/62;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种近红外发光二极管的外延结构，在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。本发明还公开所述近红外发光二极管的外延生长工艺。本发明采用该外延生长工艺形成具有漫反射作用的电流扩展层的外延结构，明显地提高了外量子效率，使得近红外发光二极管能达到更大功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 发光二极管 外延 结构 生长 工艺 芯片 | ||
【主权项】：
一种近红外发光二极管的外延结构，其特征在于：在衬底层上依次生长第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；第二型电流扩展层由第一组成部分及第二组成部分组成，在第一组成部分和第二组成部分之间形成具有漫反射效果的接触界面。
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