[发明专利]一种低功耗注入锁定三倍频器有效
| 申请号： | 201310428255.3 | 申请日： | 2013-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103475310A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李巍;周自波 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H03B19/00 | 分类号： | H03B19/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于射频频率综合器集成电路技术领域，具体为一种低功耗注入锁定三倍频器电路。该电路包括谐波产生器和注入锁定振荡器。谐波产生器由一对NMOS管构成，偏置在弱反型区，输入基频信号f0产生最大效率的三次谐波信号3f0；注入锁定振荡器由一对交叉耦合晶体管、电感、可变电容、数字控制电容阵列和可调电流源组成，其工作频率在3f0附近。在自由振荡模式下，一对NMOS管栅极无输入信号，注入锁定振荡器偏置电流由可调电流源提供，输出自激振荡频率；在注入锁定模式下，一对NMOS管栅极有频率在f0附近的基频信号，使得注入锁定三倍频电路锁定在频率3f0，此时直流功耗非常低。该电路电源电压为0.8V，直流功耗仅为0.16mW。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 注入 锁定 倍频器 | ||
【主权项】：
一种低功耗注入锁定三倍频器电路，其特征在于由谐波产生器和注入锁定振荡器组成；其中，所述谐波产生器包括一对NMOS管（M1和M2），由MOS器件的非线性产生输入信号f0的三次谐波3f0；所述注入锁定振荡器包括一对交叉耦合晶体管（M3和M4）、电感（L1）、2个可变电容（C1）、数字控制电容阵列（DCCA）和可调电流源（Ibias）；一对交叉耦合晶体管（M3和M4）组成负阻产生器，电感（L1）和2个可变电容（C1）组成一个片上电感电容谐振腔；负阻产生器、数字控制电容阵列（DCCA）、谐振腔并联；谐波产生器偏置在注入锁定振荡器的弱反型区，即谐波产生器的一对NMOS管（M1和M2）的漏端连接到一对交叉耦合的晶体管（M3和M4）的源端，将一对NMOS管（M1和M2）产生的三次谐波信号通过一对交叉耦合的晶体管（M3和M4）注入到谐振腔中。
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