[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，所述晶体管的形成方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构顶部具有掩膜层；在所述栅极结构和掩膜层两侧侧壁表面第一侧墙和第二侧墙；在所述栅极结构两侧的半导体衬底表面形成半导体材料层，所述半导体材料层的表面低于栅极结构的表面；对半导体材料层进行离子注入，形成源漏区；去除第二侧墙，在源漏区和栅极第一侧墙之间形成凹槽；对凹槽底部的半导体衬底进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区；去除栅极结构顶部的掩膜层，暴露出栅极结构的顶部表面；在源漏区、轻掺杂区表面形成金属硅化物层。上述方法可以降低晶体管的源漏区电阻，提高晶体管的性能。

主权项

一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底为绝缘体上硅；在所述半导体衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构顶部具有掩膜层；在所述栅极结构和掩膜层两侧侧壁表面形成第一侧墙和位于所述第一侧墙表面的第二侧墙；在所述栅极结构两侧的半导体衬底表面形成半导体材料层，所述半导体材料层的表面低于栅极结构的表面；对所述半导体材料层进行离子注入，形成源漏区；去除所述第二侧墙，在所述源漏区和第一侧墙之间形成凹槽；对所述凹槽底部的半导体衬底进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区；去除凹槽底部的部分第一侧墙以及栅极结构顶部的掩膜层，暴露出轻掺杂区的部分表面以及栅极结构的顶部表面；在所述源漏区表面、凹槽底部的轻掺杂区表面形成金属硅化物层。