[发明专利]磁性隧道结及其形成方法有效
| 申请号： | 201310425240.1 | 申请日： | 2013-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104465984B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种磁性隧道结及其形成方法，其中，磁性隧道结的形成方法包括提供表面具有第一介质层的衬底，第一介质层内具有第一电极层，第一介质层和第一电极层表面具有复合磁性层；在复合磁性层表面形成第一掩膜层，第一掩膜层的图形为圆形，第一掩膜层的位置与第一电极层的位置对应；在复合磁性层表面和第一掩膜层的侧壁表面形成第二掩膜层；去除部分第一掩膜层，在第一掩膜层和第二掩膜层内形成暴露出复合磁性层的开口，开口的条形图形贯穿第一掩膜层的圆形图形；在开口的侧壁表面形成侧墙；之后去除第二掩膜层，以侧墙和第一掩膜层为掩膜，刻蚀复合磁性层直至暴露出第一介质层和第一电极层表面为止。所形成的磁性隧道结的存储稳定性提高、可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性隧道结的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层内具有第一电极层，所述第一介质层暴露出所述第一电极层，所述第一介质层和第一电极层表面具有复合磁性层；在所述复合磁性层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层平行于衬底表面的图形为圆形，且所述第一掩膜层的位置与第一电极层的位置对应；在所述复合磁性层表面和第一掩膜层的侧壁表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层的表面与第一掩膜层的表面齐平；去除部分第一掩膜层，在第一掩膜层和第二掩膜层内形成暴露出复合磁性层的开口，所述开口平行于衬底表面的图形为条形，且所述开口的条形图形贯穿第一掩膜层的圆形图形；在所述开口的第一掩膜层和第二掩膜层侧壁表面形成侧墙；在形成侧墙之后，去除第二掩膜层；在去除第二掩膜层之后，以侧墙和第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述复合磁性层直至暴露出第一介质层和第一电极层表面为止。
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