[发明专利]异质结双极型晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及晶体管，公开了一种异质结双极型晶体管HBT及其制作方法。包含半导体衬底，位于半导体衬底上的发射极，位于发射极上的基极，位于基极上的集电极和位于发射极两侧及之下的半导体衬底内部的金属硅化物层，其中，位于发射极之下的半导体衬底内的金属硅化物层与发射极底面两侧的接触面的面积之和小于发射极的底面积，发射极与所述金属硅化物层通过接触面导通。与现有技术相比，本发明中的HBT具有集电极更靠近HBT表面的倒置结构，这种倒置结构使HBT具有更小的寄生电容与电阻，使得HBT能够达到更高的截止频率，进而使HBT可以在太赫兹频率环境下工作。

主权项

一种异质结双极型晶体管HBT，其特征在于，包含：半导体衬底，发射极，基极，集电极和金属硅化物层；所述发射极位于所述半导体衬底之上；所述基极位于所述发射极之上；所述集电极位于所述基极之上；所述金属硅化物层位于所述发射极两侧及之下的半导体衬底区域内；其中，位于发射极之下的半导体衬底内的金属硅化物层与所述发射极底面两侧的接触面的面积之和小于所述发射极的底面积，所述发射极与所述金属硅化物层通过所述接触面导通。