[发明专利]高纯度枝状结晶FeWO4/FeS核壳纳米结构的制备方法

摘要

一种高纯度枝状结晶FeWO4／FeS核壳纳米结构的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空管式炉，以氧化钨和硫粉为蒸发源，通过热蒸发的方法，在载气保护下，在镀有铁膜的基片上，经严格控制蒸发温度，蒸发源和基片之间的距离，反应室压强，载气气流等条件，合成了枝状FeWO4／FeS壳核纳米结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉。所得枝状FeWO4／FeS壳核纳米结构的内核和外壳均为晶态，枝和干的直径分布均匀；这种枝状壳核纳米结构在光导纤维，传感器，半导体器件和催化剂等领域有广泛的应用前景。

主权项

高纯度枝状结晶FeWO4／FeS核壳纳米结构的制备方法，其特征在于：所述枝状核壳纳米结构内核为单晶FeWO4，外壳为单晶FeS；所述方法通过热蒸发WO3粉和S粉在镀有铁膜的基片上合成枝状FeWO4／FeS核壳纳米结构，包括以下步骤：(1)在真空管式炉中，将分别装有WO3粉和S粉的氧化铝陶瓷坩埚、或者装有WO3和S混合粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在炉中央的加热区域，在其气流下游距离装有WO3粉的坩埚15‑25mm处温度较低的区域放置表面镀有Fe膜的基片；(2)在加热前，先对整个系统抽真空，然后向系统中通入高纯惰性载气，并重复多次，以排除系统中的空气；然后以10‑30℃／min速率升温最高加热温度，并保温数小时；在加热过程中，保持载气流量为100‑300标准立方厘米每分钟、管式炉内真空度为‑0.01到‑0.1MPa，且整个加热过程在惰性载气保护下完成，最后自然降温到室温，即可在基片上得到高纯度、枝状、高度结晶化的FeWO4／FeS核壳纳米结构。