[发明专利]免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法

摘要

本发明提供一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法，包括以下主要步骤：在晶圆中形成盲孔，并在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层；在绝缘层上制作阻挡层和种子层；在盲孔中填充第二金属材料；利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表面的第二金属材料和所述种子层；对晶圆进行退火工艺；利用电化学抛光技术对盲孔中填充的第二金属材料的顶部和阻挡层之间的台阶进行修正，使得该台阶趋于消失；在晶圆上表面制作第一层再布线结构，再布线工艺时利用晶圆上表面的阻挡层；利用湿法腐蚀工艺去除晶圆上表面第一层再布线结构的区域以外的阻挡层；本工艺方法可以在满足TSV工艺集成要求的同时大幅降低TSV工艺的成本。

主权项

一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供晶圆(1)作为衬底，在晶圆(1)中形成盲孔(3)，并在晶圆(1)上表面和盲孔(3)的内壁上制作绝缘层(2)；S2.在晶圆(1)上表面和盲孔(3)内壁的绝缘层(2)上制作阻挡层(401)和种子层(402)；种子层(402)位于阻挡层(401)之外，种子层(402)的材料为金属；S3.在盲孔(3)中填充第二金属材料(5)，所采用的第二金属材料(5)和种子层(402)的材料相同；S4.利用电化学抛光技术去除步骤S3填充盲孔(3)过程中在晶圆(1)表面的第二金属材料(5)和所述种子层(402)；并控制盲孔(3)中填充的第二金属材料(5)的顶部和阻挡层(401)之间的台阶高度在‑3um到3um之内；S5.对晶圆(1)进行退火工艺；S6.利用电化学抛光技术对盲孔(3)中填充的第二金属材料(5)的顶部和阻挡层(401)之间的台阶进行修正，使得该台阶趋于消失；S7.在晶圆(1)上表面制作第一层再布线结构(9)，再布线工艺时利用晶圆(1)上表面的阻挡层(401)；S8.利用湿法腐蚀工艺去除晶圆(1)上表面第一层再布线结构(9)的区域以外的阻挡层(401)，使得阻挡层(401)图形化。