[发明专利]一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器

摘要

本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD)，该雪崩光电探测器包括：衬底；形成于衬底之上的单模传输光波导，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导之上的光匹配层，用于实现光功率从单模传输光波导高效率消逝场耦合到APD吸收层中，并将光限制在APD吸收层中被完全吸收；以及形成于光匹配层之上的APD台面，采用分离吸收电荷倍增区的结构，与波导结构集成可实现高速高响应度的光探测。本发明通过将具有内部增益以及高灵敏度的APD与消逝场耦合的单模波导结构集成，解决了普通探测器光损耗大、灵敏度低、响应度与带宽相互制约以及不利于片上光互连等问题。

主权项

一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器，其特征在于，该雪崩光电探测器包括：衬底(1)；形成于衬底(1)之上的单模传输光波导(2)，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导(2)之上的光匹配层，用于实现光功率从单模传输光波导高效率消逝场耦合到APD台面的吸收层中，即双步消逝场耦合，并将光限制在APD台面的吸收层中被完全吸收；以及形成于光匹配层之上的APD台面，采用分离吸收电荷倍增区的结构，与波导结构集成可实现高速高响应度的光探测。