[发明专利]无结晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201310401293.X | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104425607B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种无结晶体管及其制作方法，无结晶体管包括基底；形成于基底上的鳍，鳍的顶部在垂直于鳍延伸方向的截面呈半圆形，鳍具有第一掺杂类型的掺杂离子，并且离子浓度从鳍表面到鳍中心逐渐递减；横跨于鳍上的栅极结构；位于栅极结构两侧鳍中的源极和漏极，源极和漏极具有第一掺杂类型的掺杂离子。制作方法包括提供基底；图形化基底，形成鳍；对鳍的顶部进行至少一次的圆化处理，使鳍的顶部在垂直于鳍延伸方向的截面呈半圆形；对鳍进行第一掺杂类型的离子掺杂，使离子浓度从鳍表面到鳍中心逐渐递减；在鳍上形成横跨鳍的栅极结构；采用第一掺杂类型的掺杂离子对栅极结构两侧的鳍进行掺杂，形成源极和漏极。本发明能抑制短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种无结晶体管，其特征在于，包括：基底；形成于所述基底上的鳍，所述鳍的顶部在垂直于鳍延伸方向上的截面呈半圆形，构成半圆窗形的鳍，所述鳍具有第一掺杂类型的掺杂离子，并且离子浓度从鳍的表面到鳍的中心逐渐递减；横跨于所述鳍上的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍中的源极和漏极，所述源极和漏极具有第一掺杂类型的掺杂离子。
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