[发明专利]CTIA型CMOS焦平面读出电路及测试方法有效
| 申请号： | 201310401045.5 | 申请日： | 2013-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103439645A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘昌举;祝晓笑;李毅强;刘信俣;邓光平;吴治军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种CTIA型CMOS焦平面读出电路的测试方法，包括CTIA读出单元，其创新在于：在CTIA读出单元的信号输入端连接一测试电容；对CTIA读出单元进行测试时，通过向测试电容施加测试电压来模拟实际工作中光电探测器的像素单元输出的信号电流。本发明的有益技术效果是：测试信号调节范围大，测试内容全面、准确，不会对实际工作时的信号电流造成干扰，物理面积占用小。 | ||
| 搜索关键词： | ctia cmos 平面 读出 电路 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种CTIA型CMOS焦平面读出电路的测试方法，包括CTIA读出单元，其特征在于：在CTIA读出单元的信号输入端连接一测试电容（B）；对CTIA读出单元进行测试时，通过向测试电容（B）施加测试电压来模拟实际工作中光电探测器的像素单元输出的信号电流。
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