[发明专利]一种无压浸渗法制备纳米SiC/Cu基复合材料的方法有效
| 申请号： | 201310400413.4 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103484705A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 阮俊达;陈建军;陈学兵;王明明;张炬栋;薛一凡 | 申请（专利权）人： | 绍兴曙光机械有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/10 | 分类号： | C22C1/10;C22C9/00;C22C32/00 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 张谦 |
| 地址： | 312065 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种无压浸渗法制备纳米SiC/Cu基复合材料的方法，将经过表面改性处理的纳米SiC粉末和镍粉按比例置于压力成型机中模压成形，得到压坯预制件，然后将压坯预制件置于石墨坩埚中，将纯铜块置于压坯预制件上部，浸渗反应在氮气保护的箱式气氛炉内进行，并在1100～1400℃温度下保温4～6小时，随炉冷却后得到纳米SiC/Cu基复合材料。本发明的纳米SiC/Cu基复合材料具有高强度、高致密以及优异的耐磨性能等优点，且本发明工艺简单易控。本发明的纳米SiC/Cu基复合材料已应用到铜水套、铜流槽、铜冷却壁铸造工艺中，主要用于改进埋管式铸铜冷却设备的性能，延长铸铜水套和铜流槽、铜冷却壁的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无压浸渗 法制 纳米 sic cu 复合材料 方法 | ||
【主权项】：
一种无压浸渗法制备纳米SiC/Cu基复合材料的方法，其特征在于包括如下工艺步骤：先将经过表面改性处理的纳米SiC粉末和镍粉按比例置于压力成型机中模压成形，得到压坯预制件，然后将压坯预制件置于石墨坩埚中，将纯铜块置于压坯预制件上部，浸渗反应在氮气保护的箱式气氛炉内进行，并在1100～1400℃温度下保温4～6小时，最后随着箱式气氛炉冷却后得到纳米SiC/Cu基复合材料。
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