[发明专利]HEMT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310400284.9 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103441144A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张乃千 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/51;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;李峥 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了HEMT器件以及用于制造HEMT器件的方法。根据本发明的一个方面，提供了一种HEMT器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；在上述隔离层上的上述源极和漏极之间的整个区域上的第一介质层；以及在上述第一介质层上的栅极；其中，上述栅极为双层结构，其中上层为导电层，下层为第二介质层，上述第二介质层只存在于上述导电层之下，上述第一介质层包括可降低器件电流崩塌效应的介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种HEMT器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；与上述半导体层接触的源极和漏极；在上述隔离层上的上述源极和漏极之间的整个区域上的第一介质层；以及在上述第一介质层上的栅极；其中，上述栅极为双层结构，其中上层为导电层，下层为第二介质层，上述第二介质层只存在于上述导电层之下，上述第一介质层包括可降低器件电流崩塌效应的介质材料。
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