[发明专利]氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310396219.3 | 申请日： | 2013-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103474536A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 姬小利;郭金霞;马平;马骏;魏同波;伊晓燕;王军喜;杨富华;曾一平;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法，其中该氮化镓基宽光谱发光二极管包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一n型III族氮化物层，其制作在缓冲层上，该n型III族氮化物层上面的一侧有一台面，该台面的厚度小于n型III族氮化物层的厚度；一量子点有源区，其制作在远离台面一侧的n型III族氮化物层上，该量子点有源区为发光区；一p型III族氮化物层，其制作在量子点有源区上；一n型金属电极，其淀积在n型III族氮化物层一侧的台面上；一p型金属电极，其淀积在p型III族氮化物层上。本发明的氮化镓基宽光谱发光二极管具有宽光谱及光谱范围可调的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基宽 光谱 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基宽光谱发光二极管，包括：一衬底；一缓冲层，其制作在衬底上；一n型III族氮化物层，其制作在缓冲层上，该n型III族氮化物层上面的一侧有一台面，该台面的厚度小于n型III族氮化物层的厚度；一量子点有源区，其制作在远离台面一侧的n型III族氮化物层上，该量子点有源区为发光区；一p型III族氮化物层，其制作在量子点有源区上；一n型金属电极，其淀积在n型III族氮化物层一侧的台面上；一p型金属电极，其淀积在p型III族氮化物层上。
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