[发明专利]一种多层复合隔热膜及其制备方法无效
申请号: | 201310393520.9 | 申请日: | 2013-09-01 |
公开(公告)号: | CN103434208A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 毛秀惠 | 申请(专利权)人: | 慈溪市科创电子科技有限公司 |
主分类号: | B32B15/04 | 分类号: | B32B15/04;B32B15/14;B32B9/04;C23C14/32;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315317 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种多层复合隔热膜及其制备方法,通过如下方法制备;提供基材;采用离子化物理气相沉积工艺(IPVD)在基材表面沉积钛层;在钛层表面沉积氮化钛层;将上述半成品烘干;采用偏压磁控溅射方法在氮化钛层上沉积一层具有优良隔热效果的金属镀膜层;烘干;在金属镀膜层上沉积一层二氧化硅电介质层;在电介质层表面涂布一层具有抗冲击性的抗刮层;经过干燥,一体成型得到所述的多层复合隔热膜。该隔热膜包括所方法获得的多层复合隔热膜可见光区透光率可以达到80%以上,近红外区光的屏蔽率达60%以上,使用寿命较普通的隔热膜长3倍以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 多层 复合 隔热 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多层复合隔热膜的制备方法,包括以下步骤:(1)提供基材;(2)采用离子化物理气相沉积工艺(IPVD)在基材表面沉积钛层,沉积过程中对沉积表面施加一个方向控制电场,使得钛层晶粒沉积方向一致;(3)在钛层表面沉积氮化钛层;(4)将步骤(3)制得的半成品烘干;(5)采用偏压磁控溅射方法在氮化钛层上沉积一层具有优良隔热效果的金属镀膜层;(6)将步骤(5)制得的半成品烘干;(7)在金属镀膜层上沉积一层二氧化硅电介质层;(8)在电介质层表面涂布一层具有抗冲击性的抗刮层;(9)经过干燥,一体成型得到所述的多层复合隔热膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于慈溪市科创电子科技有限公司,未经慈溪市科创电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310393520.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:声辐射力脉冲成像估算方法和系统
- 下一篇:用于电动汽车上的风力能源补充器