[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体元件及其制造方法，包括漏极区、源极区、通道区以及复合掺杂区。漏极区具有第一导电型，位于基底中。源极区具有第一导电型，位于基底中，环绕于漏极区周围。通道区位于源极区与漏极区之间的基底中。复合掺杂区包括顶掺杂区与补偿掺杂区。顶掺杂区具有第二导电型，其掺杂浓度自接近通道区至接近漏极区处递减，位于通道区与漏极区之间的基底中。补偿掺杂区具有第一导电型，位于顶掺杂区中，补偿顶掺杂区。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，所述半导体元件包括：一漏极区，具有一第一导电型，位于一基底中；一源极区，具有所述第一导电型，位于所述基底中，环绕于所述漏极区周围；一通道区，位于所述源极区与所述漏极区之间的部分所述基底中；一栅极，覆盖所述通道区与部份所述基底上；以及一复合掺杂区，位于所述通道区与所述漏极区之间的所述基底中，所述复合掺杂区包括：一顶掺杂区，具有所述第二导电型，位于所述通道区与所述漏极区之间的所述基底中，所述顶掺杂区的掺杂浓度自接近所述通道区至接近所述漏极区处的浓度递减；以及一补偿掺杂区，具有所述第一导电型，位于所述顶掺杂区中，补偿所述顶掺杂区。