[发明专利]具有第一半导体器件并具有多个第二半导体器件的电路装置有效
| 申请号： | 201310387120.7 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681666B | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | R.维斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,刘春元 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及具有第一半导体器件并具有多个第二半导体器件的电路装置。一种电路装置包括具有负载通路的第一半导体器件和多个第二半导体器件。每个第二半导体器件具有控制端子以及处于第一负载端子和第二负载端子之间的负载通路。所述第二半导体器件使其负载通路串联连接，并且与所述第一半导体器件的负载通路串联连接。每个所述第二半导体器件具有所述第一半导体器件和与其关联的所述第二半导体器件之一中的一个的负载端子，以及被耦合在所述第二半导体器件之一的控制端子和与所述第二半导体器件之一相关联的负载端子之间的电压限制元件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 第一 半导体器件 第二 电路 装置 | ||
【主权项】：
一种电路装置，包括：具有负载通路的第一半导体器件；多个第二半导体器件，每个第二半导体器件具有控制端子和处于第一负载端子和第二负载端子之间的负载通路，所述第二半导体器件使其负载通路串联连接，并且与所述第一半导体器件的负载通路串联连接，每个第二半导体器件具有所述第一半导体器件和与其关联的所述第二半导体器件之一中的一个的负载端子；以及电压限制元件，其被耦合在所述第二半导体器件之一的控制端子和与所述第二半导体器件之一相关联的负载端子之间，其中所述电压限制元件包括电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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