[发明专利]AMR MEMS制造方法有效
| 申请号： | 201310385749.8 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103420328A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种AMR（Anisotropic Magneto-resistance）MEMS制造方法。本发明的AMR MEMS制造方法包括：在硅片上直接形成SiN膜层；在SiN膜层上直接形成AMR材料层；在AMR材料层上直接形成金属层；刻蚀金属层以在金属层中形成凹槽；针对所述凹槽的位置刻蚀AMR材料层；沉积SiN覆盖层，并且对所述凹槽两侧的金属层上的SiN覆盖层进行刻蚀以形成金属凹槽，并在金属凹槽中填充金属以形成接触孔连接金属层。 | ||
| 搜索关键词： | amr mems 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种AMR MEMS制造方法，其特征在于包括：在硅片上直接形成氧化膜和SiN膜层；在SiN膜层上直接形成AMR材料层；在AMR材料层上直接形成金属层；刻蚀金属层以在金属层中形成凹槽；针对所述凹槽的位置刻蚀AMR材料层；沉积SiN覆盖层，并且对所述凹槽两侧的金属层上的SiN覆盖层进行刻蚀以形成金属凹槽，并在金属凹槽中填充金属以形成接触孔连接金属层。
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