[发明专利]分栅电阻器结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201310385398.0 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103413756A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 高超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种分栅电阻器结构及其制作方法，由所述硬掩模层作阻挡刻蚀形成第一沟槽，然后在所述第一沟槽中形成第一侧墙，接着刻蚀所述第一侧墙，形成第二沟槽，然后在所述第二沟槽中依次形成第二侧墙和虚拟栅极，最后去除所述硬掩模层；由于在进行上述步骤时，所述分栅电阻层的宽度增加且容易调节，进而提高了所述分栅电阻的实用性和灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种分栅电阻器的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成分栅电阻层以及硬掩模层；刻蚀所述硬掩模层，形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述分栅电阻层；在所述第一沟槽中形成第一侧墙；刻蚀所述第一沟槽中的所述分栅电阻层，形成第二沟槽；在所述第二沟槽中依次形成第二侧墙和虚拟栅极，所述第二侧墙隔离所述分栅电阻层与虚拟栅极；刻蚀去除所述硬掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
