[发明专利]非熔化薄晶片激光退火方法在审
| 申请号： | 201310377092.0 | 申请日： | 2013-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103632938A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王耘;A·M·霍里鲁克;王晓茹;沈小华 | 申请（专利权）人： | 超科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 开了一种对薄半导体晶片的退火方法。所述方法允许对薄半导体晶片的一侧进行高温退火而不会损害或过度加热那些位于晶片另一侧或者嵌入在晶片中的热敏感电子器件特征。退火是在低于晶片的熔点的温度下进行，因此在退火过程中不会发生显著的掺杂重新分布的情况。本方法可用于激活掺杂或用于形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 熔化 晶片 激光 退火 方法 | ||
【主权项】：
一种对具有背侧的半导体产品晶片进行退火的方法，所述背侧具有退火区域，所述产品晶片具有电子器件特征，所述电子器件特征与所述背侧相隔距离d，所述电子器件特征在超过临界温度TC时会被损坏，所述方法包括：以退火激光束扫描过所述背侧，以通过将所述退火区域带到退火温度TA来退火所述退火区域，所述退火温度TA小于所述半导体产品晶片的熔化温度TM；以及其中所述扫描步骤具有与其相关的热扩散长度LD，而且还包含以驻留时间来执行所述扫描步骤以使热扩散长度LD满足LD
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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