[发明专利]具有双平行沟道结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310376017.2 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN103928516B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 严昌镕;申在光 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：基板，具有掺杂成第一导电类型的漂移区；沟槽，通过垂直地蚀刻基板的上表面而形成；栅极，沿着沟槽的侧壁布置；栅氧化物层，布置在沟槽的侧壁与栅极之间以及在沟槽的底表面与栅极之间；第一导电类型的第一源极区，形成在基板的上表面上；第一导电类型的第二源极区，形成在沟槽的底表面上；第一阱区，形成在第一源极区与漂移区之间；以及第二阱区，形成在第二源极区与漂移区之间，其中第一和第二阱区被掺杂成第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型电学上相反。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平行 沟道 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基板，具有掺杂成第一导电类型的漂移区；沟槽，通过垂直地蚀刻所述基板的上表面而形成；栅极，沿着所述沟槽的侧壁布置；栅氧化物层，布置在所述沟槽的所述侧壁与所述栅极之间以及在所述沟槽的底表面与所述栅极之间；第一导电类型的第一源极区，形成在所述基板的所述上表面上；第一导电类型的第二源极区，形成在所述沟槽的所述底表面上；第一阱区，形成在所述第一源极区与所述漂移区之间；第二阱区，形成在所述第二源极区与所述漂移区之间；漏电极，布置在所述基板的下表面上；源电极，形成在所述基板上和所述沟槽中以电连接到所述第一和第二源极区；以及层间绝缘层，覆盖所述栅极和所述栅氧化物层，使得所述栅极和所述栅氧化物层不接触所述源电极，其中所述第一阱区和所述第二阱区被掺杂成第二导电类型，该第二导电类型与第一导电类型电学上相反。
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