[发明专利]用于STTMRAM的差分感测方法和系统有效
| 申请号： | 201310371741.6 | 申请日： | 2013-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN103632706B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | W.阿勒斯;M.杰弗雷莫夫;T.克恩;J.奥特施特德特;C.彼得斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于读取存储单元，并且尤其是STT MRAM的方法和系统。根据本发明的一个方面，一种用于读取存储单元的系统包括读取通路和预充电通路。提供经由所述读取通路的参考电流，并通过所述读取通路中的采样元件来对所述参考电流进行采样。接下来，提供经由同一采样元件和读取通路的来自所述存储单元的电流。然后通过相对所采样的参考电流工作的单元电流来确定所述输出电平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 stt mram 差分感测 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用于读取存储单元的方法，所述方法包括以下步骤：提供用于对参考电流进行采样的采样元件；经由相同的读取通路使用所述采样元件来测量来自所述存储单元的单元电流；以及提供用于所述存储单元的预充电通路，其中，用于所述存储单元的预充电通路是与所述读取通路不同的通路，其中，提供用于所述存储单元的预充电通路的步骤与使用采样元件测量来自所述存储单元的参考电流的步骤大约同时发生。
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