[发明专利]包含三明治型电极的相变存储结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，在设置有下电极的衬底上表面形成暴露出所述下电极上表面的第一绝缘材料层；接着制备与所述下电极接触的加热电极；继续沉积绝缘材料层；利用第一分隔槽分割相邻所述下电极，形成三明治型电极结构；在所述绝缘材料层上表面、第一分隔槽内壁上依次形成相变材料层、上电极；利用第二分隔槽分割相邻的三明治型电极结构；平坦化并暴露出第四绝缘层下方的上电极。本发明克服因加热电极被氧化导致电阻稳定性差，三明治型纳米电极包覆的氮化物有助于阻止电极被氧化，从而避免电极阻值的不稳定，克服了相变存储器器件的失效，提高器件的成品率。

主权项

一种包含三明治型电极的相变存储结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）提供一衬底，在该衬底内制备嵌于其中的若干下电极；在设置有下电极的衬底上表面形成第一绝缘材料层；2）刻蚀所述第一绝缘层，暴露出所述下电极的上表面；接着制备加热电极层，所述加热电极层与所述下电极接触；3）继续依次沉积第二绝缘材料层、第三绝缘材料层；4）利用第一分隔槽分割相邻所述下电极，形成三明治型电极结构；5）在所述第三绝缘材料层上表面、第一分隔槽内壁上形成相变材料层；6）在所述相变材料层上形成上电极；7）利用与所述第一分隔槽垂直的第二分隔槽分割相邻的三明治型电极结构；8）在所述相变材料层上、第二分隔槽内壁形成第四绝缘层；9）平坦化并暴露出该第四绝缘层下方的上电极。