[发明专利]三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310370735.9 申请日: 2013-08-22
公开(公告)号: CN103441215A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 刘波;宋志棠 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法,在衬底上与下电极不重合的位置制备支撑结构;依次沉积第一绝缘材料层、与下电极接触的加热电极层以及第二绝缘材料层;利用相互垂直的第一、第二分隔槽分隔相邻所述下电极,形成三明治型刀片状电极;在所述第一、第二分隔槽内沉积绝缘材料;形成绝缘材料层并平坦化;使得三明治型刀片状电极露出;在所述三明治型刀片状电极上方形成与其接触的相变材料层;在所述相变材料层上形成上电极。本发明克服因加热电极被氧化导致电阻稳定性差,三明治型刀片状纳米电极包覆的氮化物有助于阻止电极被氧化,从而避免电极阻值的不稳定,克服了相变存储器器件的失效,提高器件的成品率。
搜索关键词: 三明治 刀片 电极 相变 存储 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种三明治型刀片状电极的相变存储结构制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:1)提供一衬底,在该衬底内制备嵌于其中的若干下电极;2)在所述衬底上与所述下电极不重合的位置制备支撑结构;3)在步骤2)获得的结构上形成第一绝缘材料层;并刻蚀掉所述下电极上表面的第一绝缘材料层;4)继续形成位于所述第一绝缘材料层上的加热电极层,所述加热电极层与所述下电极上表面接触;5)接着在所述加热电极层上形成第二绝缘材料层;6)利用第一分隔槽分隔相邻所述下电极,形成隔离的三明治型刀片状电极结构;7)在所述第一分隔槽内沉积绝缘材料;形成第三绝缘材料层并平坦化8)利用与第一分隔槽垂直的第二分隔槽隔离所述三明治型刀片状电极结构;9)在所述第二分隔槽中沉积绝缘材料;形成第四绝缘材料层并平坦化;直至暴露出三明治型刀片状电极结构;10)在所述暴露的三明治型刀片状电极结构上方形成与其接触的相变材料层;11)在所述相变材料层上形成上电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310370735.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top