[发明专利]一种垂直型恒流二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种垂直型恒流二极管及其制造方法。本发明的直型恒流二极管，包括依次层叠设置的氧化层、高掺杂N型外延层、轻掺杂N型外延层、重掺杂N+衬底和金属阳极，其特征在于，还包括有依次连接的元胞结构、终端结构和截止环，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述终端结构由多个结构相同并依次连接的终端组成。本发明的有益效果为，具备容易夹断，且夹断电压可低至5V以下的优点，同时夹断点随电压增大变化更慢，恒定电流更稳定，器件设计更灵活，结构更合理，能省去额外的光刻板，节省了制造成本。本发明尤其适用于恒流二极管。

主权项

一种垂直型恒流二极管，包括依次层叠设置的氧化层（7）、高掺杂N型外延层（6）、轻掺杂N型外延层（2）、重掺杂N+衬底（1）和金属阳极（8），其特征在于，还包括有依次连接的元胞结构、终端结构和截止环，所述元胞结构由多个结构相同并依次连接的元胞组成，所述元胞包括第一金属阴极（3）、第一N+重掺杂区（4）和第一P+重掺杂扩散区（5），所述第一P+重掺杂扩散区（5）为两个并分别位于元胞的两端，所述第一P+重掺杂扩散区（5）贯穿高掺杂N型外延层（6）并延伸至轻掺杂N型外延层（2）中，所述第一N+重掺杂区（4）设置在两个第一P+重掺杂扩散区（5）之间并嵌入位于两个第一P+重掺杂扩散区（5）之间的高掺杂N型外延层（6）的上表面，所述第一金属阴极（3）覆盖在第一N+重掺杂区（4）和第一P+重掺杂扩散区（5）的上表面并完全贯穿氧化层（7），同时形状为沟槽形状，两端的沟槽延伸至第一P+重掺杂扩散区（5）中，所述终端结构由多个结构相同并依次连接的终端组成，所述终端包括第二金属阴极（31）和第二P+重掺杂扩散区（51），所述第二P+重掺杂扩散区（51）位于靠近元胞结构的一端，贯穿高掺杂N型外延层（6）并延伸至轻掺杂N型外延层（2）中，两个终端结构的第二P+重掺杂扩散区（51）之间有一定间距，所述第二金属阴极（31）为沟槽形状，沟槽部分贯穿部分氧化层（7）并延伸至第二P+重掺杂扩散区（51）中，第二金属阴极（31）和第二P+重掺杂扩散区（51）构成场限环，所述截止环包括嵌入轻掺杂N型外延层（2）端部上表面的第二N+重掺杂区（41）形成，第二N+重掺杂区（41）上表面覆盖氧化层（7），所述元胞结构、终端结构和截止环之间有一定间距。