[发明专利]一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法有效
| 申请号： | 201310368157.5 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN104418294A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 苏佳乐 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 庞聪雅;张莉 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）进行非晶硅生长工艺；在非晶硅生长完成后，进行退火温度为T的第一次退火；测量应力，得到第一次退火后应力值S3；应力的变化值控制范围为S1～S2，则调整第二次退火实际所需温度上限为T1=（S3-S1-24）/8*10+T，调整第二次退火实际所需温度下限为T2=（S3-S2-24）/8*10+T。本发明根据多次试验，得出如何调整退火温度进而控制应力值变化的技术方案，该方案操作简单，易于实施，对于改进生产质量具有非常优异的效果，从而提高了整体效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 原位 掺杂 非晶硅 应力 方法 | ||
【主权项】：
一种控制原位掺杂非晶硅应力的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）进行非晶硅生长工艺；2）在非晶硅生长完成后，进行退火温度为T的第一次退火;3）测量应力，得到第一次退火后应力值S3；4）应力的变化值控制范围为S1～S2，则调整第二次退火实际所需温度上限为T1=（S3‑S1‑24）/8*10+T，调整第二次退火实际所需温度下限为T2=（S3‑S2‑24）/8*10+T。
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