[发明专利]射频装置封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201310363249.4 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103681627A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 杨明宗;洪建州;李东兴;黄伟哲;黄裕华 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 白华胜;段晓玲 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种射频装置封装及其制造方法。该射频装置封装包括基座；以及射频装置芯片，固接于该基座上，其中该射频装置芯片包括半导体基底，该半导体基底具有前侧和后侧；射频构件，设置于该半导体基底的该前侧；互连结构，设置于该射频构件上，其中该互连结构电性连接至该射频构件，且该半导体基底的厚度小于该互连结构的厚度；通孔，从该半导体基底的该后侧穿过该半导体基底形成，且连接至该互连结构；以及硅通孔结构，设置于该通孔内。本发明所提出的射频装置封装及其制造方法，可改善射频装置的RF损失和低线性度等缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 装置 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种射频装置封装，其特征在于，包括：基座；以及射频装置芯片，固接于该基座上，其中该射频装置芯片包括：半导体基底，具有前侧和后侧；射频构件，设置于该半导体基底的该前侧；互连结构，设置于该射频构件上，其中该互连结构电性连接至该射频构件，且该半导体基底的厚度小于该互连结构的厚度；通孔，从该半导体基底的该后侧穿过该半导体基底形成，且连接至该互连结构；以及硅通孔结构，设置于该通孔内。
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