[发明专利]气体通道及进气装置无效
申请号: | 201310360609.5 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN103436860A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 谭华强;乔徽;林翔;苏育家 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体通道及包括所述气体通道的进气装置,所述气体通道连通MOCVD的进气装置的气体腔和进气装置下方的反应区域,使得所述气体通道包括第一部分及与第一部分相连接的第二部分,气体自气体腔经过第一部分流向第二部分并且经过第二部分的出气口流向所述反应区域,所述第二部分沿气体流动方向,其截面尺寸增大。这种气体通道具有的逐渐扩张的结构,能够使得反应气体自上方向下流动的路径延长,并且降低了出气口的气体流速,从而提高了气体的分解率和利用率。 | ||
搜索关键词: | 气体 通道 装置 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD工艺的气体通道,所述气体通道连通MOCVD的进气装置的气体腔和进气装置下方的反应区域,其特征在于,所述气体通道包括第一部分及与第一部分相连接的第二部分,气体自气体腔经过第一部分流向第二部分并且经过第二部分的出气口流向所述反应区域,所述第二部分沿气体流动方向,其截面尺寸增大。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的