[发明专利]LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310359148.X | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN104377291B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李明刚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/10;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法。其中该LED芯片包括衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的N型层；形成在N型层之上的量子阱；形成在量子阱之上的电子阻挡层；形成在电子阻挡层之上的P型层；形成在P型层之上的钝化层；P电极，P电极从衬底的下表面贯穿至P型层的下表面；以及N电极，N电极从衬底的下表面贯穿至N型层的下表面。本发明的LED芯片具有出光率高、散热性好、制造成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括以下部分：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层之上的N型层；形成在所述缓冲层和所述N型层之间的本征层；形成在所述N型层之上的量子阱；形成在所述量子阱之上的电子阻挡层；形成在所述电子阻挡层之上的P型层；形成在所述P型层之上的钝化层；P电极，所述P电极从所述衬底的下表面贯穿至所述P型层的下表面；以及N电极，所述N电极从所述衬底的下表面贯穿至所述N型层的下表面；其中，所述N电极从所述衬底的下表面贯穿至所述本征层的下表面。
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